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据日本共同社近日报道,日本电子巨头Roma将于今年12月量产下一代功率半导体,以碳化硅(SiC)为原料。

据悉,Roma花了大约20年的时间推动碳化硅半导体的研发。新一代半导体可以提高机器的能效。如果安装在纯电动汽车上,续航里程可以提高10%,电池体积可以更小。

据悉,罗马将在福冈县筑地工厂进行今年开业的特种碳化硅功率半导体工厂的量产。它还计划投资高达2200亿日元来提高产量,并将2025年的碳化硅销售额提高到1100亿日元。

公开资料显示,碳化硅具有耐高压、耐高温、耐高频、抗辐射等优异的电学特性,突破了硅基半导体材料的物理限制,是第三代半导体核心材料。

碳化硅是一种主要由硅和碳组成的化合物半导体材料。主要用于电源+射频器件,适用于600V以上的高压场景,包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等电力电子领域。

与前两代半导体材料相比,它最大的优势是更宽的带隙,这保证了它可以突破更高的电场强度。适用于制备高压高频功率器件,是电动汽车、5G基站、卫星等新兴领域的理想材料。

以新能源汽车为例,涉及功率半导体应用的电动汽车系统组成部分包括电机驱动系统、车载充电系统、车载DC/DC和车外充电桩。其中,碳化硅功率器件广泛应用于电动汽车逆变器市场,碳化硅模块的使用使得整车能耗更低、体积更小、续航里程更长。

目前,国内外车企都在积极部署碳化硅器件,以优化电动汽车的性能。特斯拉、比亚迪、丰田等车企已经开始采用碳化硅器件。

随着碳化硅功率器件生产成本的降低,碳化硅在充电桩领域的应用将逐渐深入。

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